半導体研磨加工の匠集団!秩父電子(株)/秩父エレクトロン(株)です。 TEL 0494(22)5955/0494(75)3333
半導体 化合物半導体 ,バックグラインド ,研磨 裏面研磨 洗浄 ,シリコン サファイア ,MEMS バンプ
,GaP GaAs GaN(窒化ガリウム) ,ウエハー ワイドギャップ半導体 ,フォトマスク 合成石英ガラス ,金属膜蒸着 エピ ,SiC(シリコンカーバイト) について

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半導体研磨加工の匠集団!
秩父電子(株)/秩父エレクトロン(株)

お取扱いキーワード
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GaP GaAs GaN(窒化ガリウム)
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金属膜蒸着 エピ
SiC(シリコンカーバイト)
 
 我々は、半導体フォトマスク基板用ガラス、Gap・GaAs等の化合物半導体、MEMS、SiC(シリコンカーバイト)、サファイア、GaN(窒化ガリウム)、Siウエハーの研磨加工を軸にエピ成長、金属膜蒸着等半導体材料の加工を幅広く行っている技術集団です。我々の技術は経済産業省からも高く評価され、平成18年3月には「明日の日本を支える元気なモノ作り中小企業300社」に選ばれました。
ご連絡先
担当者 代表取締役強谷 隆彦 ホームページへ

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お問い合わせ
電話 0494(22)5955
/0494(75)3333
FAX 0494(22)5959
/0494(75)3335
URL http://www.cec-kk.co.jp
E-mail

商品・サービス情報

レーザスキャン欠陥検査装置 (MAGICS3320) 32B両面研磨装置

半導体フォトマスク基盤用ガラス(合成石英硝子)研磨

材質:合成石英ガラス、低膨張ガラス、ノンアルカリガラス、 青板ガラス、白板ガラス
仕様:4、5、6、7、8インチ角及び8、12インチウエハータイプ
世界最高レベルの品質の提供
・ 平坦度: 0.5μ以下
・ 欠陥、パーティクルレベル: 0.1μ ゼロ〜数個
・ 面精度Ra1.5 オングストローム以下

バージン半導体フォトマスク用ガラス研磨加工および使用済み硝子再生研磨加工
(バージンの場合弊社にて素材調達可)
超精密ガラス化学研磨
超清浄度半導体フォトマスク用ガラス洗浄
欠陥検査装置
 MAGICS 3320 による品質保証

ペリクル用ガラス研磨
 材質は合成石英硝子、青板ガラス等

合成石英ガラスウエハータイプ゚研磨
・重金属対応済み
・Vノッチ等各種端面加工

写真上:
レーザスキャン欠陥検査装置(MAGICS3320)
レーザスキャンにより0.1μ以下のサイズまで欠陥を検出する装置

写真下:
32B両面研磨機
半導体フォトマスク基板用ガラスを高精度に研磨する大型研磨機

GaAsウエハー ポリッシュ研磨ライン GaPウエハー 自動グルービング装置

化合物半導体ウエハー研磨

材質:GaP、GaAs、InP等の基板ウエハー、エピ成長ウエハー、パターン付きウエハー
仕様:2、3、4、6インチ定型及び不定形ウエハー
超極薄仕上げ可能(50μレベルまで)

基板研磨はエピレディレベルの表面品質

不定形、反り等の大きいエピ成長ウエハー研磨可能
パターン付きウエハー裏面研磨
使用済みウエハーの再生研磨

GaPウエハーについては研磨以外の各種処理
・ 定型化加工
・グルービング加工
・バリ取り加工
要望に応じてラップ、研削、ポリッシュ加工を柔軟に組み合わせ最適の研磨加工の実施

写真上:
GaAsウエハー ポリッシュ研磨ライン

写真下:
GaPウエハー 自動グルービング装置

シリコンウエハー裏面研磨加工(バックグラインド)

シリコンウエハー裏面研磨加工(バックグラインド)

材質:パターン付きシリコンウエハー
仕様:4、5、6、8及び12インチウエハー
バンプ付きウエハー可能
超極薄仕上げ可能(50μ以下)
CMP装置によるバックグラインド・ポリッシュ一環加工
12インチウエハーを50μ以下の厚みまで研磨可能

面内厚みバラツキは2μ以下

バンプ付きウエハー対応可

Asドープウエハー対応可

写真:
12インチ超薄仕上げ研磨ウエハー(40μ仕上げ)

MEMS用ウエハー研磨加工

材質:MEMS用パターン付きウエハー
仕様:4、5、6、及び8インチウエハー

膜厚を制御しながらパターン面研磨及び洗浄

埼玉大学土肥研究室秩父分室プレート KLA カンデラ表面検査装置

ワイドギャップ半導体材料研磨加工

材質:SiC(シリコンカーバイト)、GaN(窒化ガリウム)、サファイア ウエハー等
仕様:表面粗さは0.05nmレベル

基板研磨
エピ成長ウエハー研磨
パターン付きウエハー研磨
使用済みウエハー再生研磨

超高硬度半導体材料を世界最高の面粗さに仕上げます。

現在埼玉大学と共同で更なる品質アップに向け技術開発中。

写真上:
埼玉大学土肥研究室秩父分室プレート

写真下:
KLA カンデラ表面検査装置

金属膜蒸装置

金属膜蒸着加工

材質:GaAsウエハー、シリコンウエハー
サイズ:GaAsウエハー
    ・蒸着膜:Au、Pt、Ti等各種金属膜
    ・ 対応サイズは6インチまで

    シリコンウエハー
    ・ 蒸着膜:熱酸化膜、TEOS膜、窒化膜等
    ・ 対応サイズは12インチまで

研磨との一貫加工で効率的な処理が可能
お客様のレシピに柔軟に対応

写真:
金属膜蒸装置

エピタキシャル成長装置

シリコンウエハーエピ成長加工

材質:シリコンウエハー
仕様:4、5インチウエハー

4インチ、5インチエピ成長加工

4インチ、5インチウエハー埋め込み拡散加工

生産キャパ: 5万枚/月

写真:
エピタキシャル成長装置

シリコンモニターダミーウエハー加工

材質:シリコンウエハー
仕様:4、5、6、8、12インチウエハー

バージンモニターダミーウエハー製造
・ パーティクルは0.3ミクロンで10個以下
・ 重金属レベルは10の9乗atom/cm3をクリアー

モニターダミーウエハー再生研磨加工
・ 膜除去も行います。
・ 再生回数は平均3回以上

少量から注文も承ります

シリコンウエハー一環加工

材質:パターン付きシリコンウエハー
仕様:4、5、6、8、12インチウエハー
(バンプ付きウエハー対応可能)

ウエハーテスト及びダイシング/チップ検査を協力会社に委託することにより、裏面研磨加工を加えた一環加工サービスを提供致します。

少量から注文も承ります

店主・担当者写真

 弊社は昭和42年の操業開始以来、顧客第一、人材育成、技術の錬磨を社訓として、一貫して半導体材料加工メーカーとしてお客様に可愛がられて参りました。
 インターネット全盛の時代において、最先端の加工技術の提供を企業の責務として、今後とも視野を未来へ、そして世界へと広げて、広く社会に貢献していきたいと思います。
 様々なお客様の多用なニーズに高品質かつタイムリーにお応えするCustomer Oriented Corporationとして、お引き立ての程宜しく御願い申し上げます。
秩父電子(株)/秩父エレクトロン(株)
代表取締役 強谷 隆彦

主要生産品目
主要取扱品目
・ 半導体フォトマスク基板用ガラス(合成石英硝子)研磨
・ 化合物半導体(GaP、GaAs、InP)研磨
・ シリコン(Si)ウエハー裏面研磨
・ MEMS ウエハー 表面研磨
・ シリコンエピ成長
・ GaAsウエハー金属膜蒸着
・ ワイドギャップ半導体材料(SiC(シリコンカーバイト)、GaN(窒化ガリウム)、サファイア)ウエハー研磨
・ シリコンモニタダミーウエハー製造、再生加工
・ フォトマスクパターンコピー
・ パターン付きウエハーテスト、裏面加工(バックグラインド)、ダイシング、チップ検査の一環加工
その他
サービス・PR
・ クリン技術に裏打ちされた優れた研磨、洗浄技術による卓越した品質
・ 短納期、少量他品種生産に柔軟に対応
・TS16949及び ISO9000による鉄壁の品質管理
・ ISO14001による環境に優しい工場(彩の国工場指定)
・早稲田大学、九州大学等との積極的な産学連携共同研究

企業情報

企業名 秩父電子(株)/秩父エレクトロン(株)
業 種 半導体関連素材加工
代表者名 強谷 隆彦
電 話 0494(22)5955/0494(75)3333
FAX 0494(22)5959/0494(75)3335
URL http://www.cec-kk.co.jp
E-mail
所在地 〒368-0004 埼玉県秩父市山田2178番地
  /〒368-0101 埼玉県秩父郡小鹿野町下小鹿野1111番地
資本金 8000万円/4300万円
従業員数 130人/150人

定休日 お客様のご要望に応じて土日稼働の連続操業も行っております。  
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